Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
Sperrschichtkapazität — nuskurdintojo sluoksnio talpa statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. depletion layer capacitance vok. Sperrschichtkapazität, f rus. ёмкость обеднённого слоя, f pranc. capacité de couche de déplétion, f … Radioelektronikos terminų žodynas
capacité de couche de déplétion — nuskurdintojo sluoksnio talpa statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. depletion layer capacitance vok. Sperrschichtkapazität, f rus. ёмкость обеднённого слоя, f pranc. capacité de couche de déplétion, f … Radioelektronikos terminų žodynas
depletion-layer capacitance — nuskurdintojo sluoksnio talpa statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. depletion layer capacitance vok. Sperrschichtkapazität, f rus. ёмкость обеднённого слоя, f pranc. capacité de couche de déplétion, f … Radioelektronikos terminų žodynas
nuskurdintojo sluoksnio talpa — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. depletion layer capacitance vok. Sperrschichtkapazität, f rus. ёмкость обеднённого слоя, f pranc. capacité de couche de déplétion, f … Radioelektronikos terminų žodynas
p - n-ПЕРЕХОД — (электронно дырочный переход) слой с пониженной электропроводностью, образующийся на границе полупроводниковых областей с электронной (n область) и дырочной ( р область) проводимостью. Различают гомопереход, получающийся в результате… … Физическая энциклопедия
МДП-СТРУКТУРА — (металл диэлектрик полупроводник) структура, образованная пластиной полупроводника П, слоем диэлектрика Д на одной из её поверхностей и металлич. электродом (затвором M, рис. 1). При подаче на МДП с. напряжения V в полупроводнике вблизи границы с … Физическая энциклопедия
P — n-переход — (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, Зоной p n перехода называется область полупроводника, в которой имеет место… … Википедия
Р — n-переход — p n переход (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости … Википедия
Электронно-дырочный переход — p n переход (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости … Википедия
Ядерный взрыв — … Википедия
